| Change log entry 85353 | |
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| Processed by: | kbaiko (2024-07-15 13:04:42 UTC) |
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<< review queue entry 78635 - submitted by 'encn' >> 氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电器件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405 nm）激光。 如今小方块充电器真是太猛了，氮化镓技术加持后，小米这33W充电头跟最早iPhone那个5W小方块充电器一样大，但功率推到了33W。 |
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+ 氮化鎵 氮化镓 [[dan4hua4jia1]] /gallium nitride (GaN)/ |